- ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ପରିସର: 190-900nm |
- ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟର ସଠିକତା ଏବଂ ପୁନ oduc ପ୍ରବୃତ୍ତି: ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟର ସଠିକତା: ± 0.20nm ଠାରୁ ଭଲ ପୁନ oduc ପ୍ରବୃତ୍ତି: 0.06nm ଠାରୁ ଭଲ |
- ରେଜୋଲୁସନ: 0.2nm ± 0.02nm,
- ବେସଲାଇନ୍ ସ୍ଥିରତା: ଷ୍ଟାଟିକ୍: ବେସ୍ ଲାଇନ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍, s ;; 0.003Abs / 30min, ତତକ୍ଷଣାତ୍, ତତକ୍ଷଣାତ୍ ଶବ୍ଦ, s ;; 0.0005Abs ଡାଇନାମିକ୍: ବେସ୍ ଲାଇନ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍, s ;; 0.003Abs / 15min, ତତକ୍ଷଣାତ୍ ଶବ୍ଦ, s ;; 0.003Abs
- ଅଗ୍ନି ଦ୍ Cu ାରା Cu ନିର୍ଣ୍ଣୟ: ଚିହ୍ନଟ ସୀମା ≤0.003 µ g / ml |
- ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା .030.03 µ g / mU1% |
- ସଠିକତା .50.5% |
- ର ar ଖ୍ୟ ସମ୍ବନ୍ଧୀୟ କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ ≥0.9998, ର ar ଖ୍ୟ ପରିସର ≥0.65Abs |
ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଚୁଲା ଦ୍ୱାରା ସିଡି ନିର୍ଣ୍ଣୟ:
- ଚିହ୍ନଟ ସୀମା ≤0.5pg
- ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ≤0.6pg
- ସଠିକତା ≤2.8% |
- ର ar ଖ୍ୟ ସମ୍ବନ୍ଧୀୟ କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ ≥0.9994 |
ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସଂଶୋଧନ:
- 1A ରେ D2 ଲ୍ୟାମ୍ପ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସଂଶୋଧନ କ୍ଷମତା 30 ଗୁଣ ଅପେକ୍ଷା ଭଲ |1.8A ରେ SH ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସଂଶୋଧନ କ୍ଷମତା 30 ଗୁଣ ଅପେକ୍ଷା ଭଲ |